市委常委会召开会议 学习贯彻习近平总书记重要讲话指示精神

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作者通过理论计算揭示了少层化的Ni3Ge2O5(OH)4纳米片与多片层的Ni3Ge2O5(OH)4纳米片相比具有更佳的电催化活性，常委彻习同时发现少层纳米片的(100)晶面与(001)晶面相比拥有更低的OER中间体吸附自由能。单层的Ni3Ge2O5(OH)4纳米片表现出了优于多层纳米片的OER性能，召话主要得益于少层、召话小尺寸的纳米片有更高的电化学活性面积以及更多的高活性(100)晶面的暴露。

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锗元素虽然没有电催化活性，总书但是锗的存在对于蛇纹石结构电极材料的晶体生长和电子能带起到了重要影响。市委示精神【图文导读】图1 Ni3Ge2O5(OH)4 纳米片的晶体结构和DFT理论计算结果。

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习贯（b）SiO2/Ni分级空心微球的SEM图像。2.1、近平记重SiO2的锂化行为 在早期研究中，认为SiO2对Li是电化学惰性的。

总书 Figure20.（a）NiSix@SiOx异质结构纳米线的TEM和SEM（插图）图像。（b）SiO、市委示精神HEMM处理的d-SiO（3h）和HEMM处理的d-SiO（10h）的循环性能。